HFSS材料属性和边界条件设置，精品课重点摘要

Material 'FR4' already exists, do you want to overwrite? 弹出来手一抖点了No，自定义的Dk=4.6、Df=0.015没写进去，后面仿真全用的默认4.4和0.02，S11谐振频率偏了200MHz。路径D:\HFSS_work\material_lib\FR4_TG170.amat。材料属性在Project→Materials→Add Material里加，Relative Permittivity填Dk，Dielectric Loss Tangent填Df，Bulk Conductivity填电导率，铜是5.8e7 S/m，Magnetic Permeability和Magnetic Loss Tangent铁氧体才用，普通介质保持1和0。各向异性材料在View/Edit Material里把属性类型改成Anisotropic，分别填X Y Z三个方向，温度依赖和频率依赖用Set Frequency Dependent或者Add Temperature Dependent，频率扫描前先确认材料的Dk在目标频段有没有漂。

边界条件在Project Tree里右键Boundaries→Assign，Perfect E是理想电导体，金属面直接选，Perfect H是理想磁导体，对称面用，Finite Conductivity要填电导率和粗糙度，Rz值从板厂datasheet里查，压延铜大概1到2μm，Impedance边界模拟薄电阻或者涂层，Resistance和Reactance分别填，Lumped RLC做集总元件，R L C并联或者串联选对。辐射边界选Radiation，离辐射体至少四分之一波长，2.4GHz就是31mm，空气腔各方向留35mm，PML比辐射边界吸波好但网格多，PML层数给4到8层，每层厚度八分之一波长，PML外面还要包一层空气腔，直接贴在天线表面算不准。边界重叠会报Boundary overlaps with another boundary，同一个面只能分配一种边界，辐射边界和Perfect E冲突，删一个。

对称边界用Symmetry，电壁对应Perfect E，磁壁对应Perfect H，画一半模型的时候对称面选对，切错方向结果全反。主从边界Master/Slave做周期结构，相位差填扫描角，Floquet端口做无限阵列，单元四周设主从，顶部设Floquet，扫描角从0到60度。端口激励，波端口画积分线，从信号线指向参考地，不画积分线S11全是零，集总端口画矩形面连接内导体和接地板，阻抗默认50欧姆，参考平面在端口Properties里手动指定，选错了回Project Tree的Excitations下面核对。

材料电导率填0，Finite Conductivity边界变成理想导体，铜的5.8e7不能省。损耗角正切单位是弧度还是度，材料面板里默认是无量纲，0.02就是tanδ，填成2e-2也行，填2就是损耗巨大。频率相关材料在Set Frequency Dependent里用表格或者多项式，表格点少了插值不准，Dk在1GHz到10GHz之间变化大的话至少给五个点。求解不收敛先查材料有没有虚部，有源器件的话电导率不能为0，边界条件有没有冲突，辐射边界太近也会导致不收敛。

自适应迭代20次没收敛，网格细化选Delta S，目标0.02，最大迭代加到30，误差放到0.05，扫频用Fast插值。端口阻抗50欧姆，不设默认50。辐射边界在Project Tree里显示为Radiation，PML显示为PML，两个不要同时加在同一个面上。D:\HFSS_work\material_lib\ 下面那个铜箔粗糙度模型还没加，Rz参数是……

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