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首先感谢贾博士的文章，读了受益匪浅，本人也一直从事片上的电感仿真研究，贾博士有提到过虽然矩量法 和FEM 是不同算法但是通过适当的建模、仿真设置，是可以达到相同的仿真效果；为此我做了一个小实验，始终得不到正确的结果，还望贾博士帮我分析下，看看哪里出了问题？
取材是一个小电感，约0.6nH，M7为电感层，M1为参考层（为了保证和HFSS 一样，HFSS集总端口需要回流路径），M1层感生出来的磁场会抵消一定原电感磁通量的变化，因此会减小电感值。
如下是HFSS设置：AirBox 已被隐藏，加辐射边界；Si衬底地面加Perfect E边界 ；
放大看端口设置：driven terminal；端口参考M1；
仿真结果对比：
疑问如下：
1 导致Q值差距的问题在哪？哪些仿真设置还有问题？
2 很赞同贾博士说的仿真之前，先要确定电感在电路里面的应用情况；在实际芯片中，电感本身、输入端口的参考更有可能是参考相邻的金属层（sub的厚度大于300um），按照矩量法的条件，它假设衬底下面有个PEC平面 ，这是否可以认为矩量法的这种假设并不符合电感真实的参考路径？
也许我对以上的理解有误区，还望指出，谢谢！
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