长鑫存储：自主设计DRAM芯片，避开美国技术

在国内布局的三大存储芯片基地中，紫光旗下的长江存储240亿美元的投资主要是NAND闪存，DRAM内存有福建晋华以及合肥长鑫，前者跟联电合作，因为跟美光产生了专利纠纷被美国制裁，发展前景并不乐观，对于这个问题，合肥长鑫一开始也注意到了产权的问题。

6月12日，日经新闻报导，合肥长鑫已经重新设计了其DRAM芯片，以尽量减少对美国原产技术的使用。

据日经新闻亚洲评论报导，长鑫还无法完全消除威胁，其生产中依然会使用到美国的半导体设备(如Applied Materials、Lam Research及KLA-Tencor)和EDA工具(如Cadence和Synopsys)，但重新设计能够降低威胁，避免触及美国的知识产权。

不过在这方面，长鑫暂时还无法完全摆脱美国公司的限制，美国应用材料（Applied Materials）、Lam Research及科磊KLA-Tencor等公司生产的半导体制造设备、材料以Cadence和Synopsys等公司的EDA工具是全球半导体行业都绕不开的。

　　长鑫存储董事长兼CEO朱一明去年10月还曾前往欧洲，与欧洲最大的半导体设备供应商ASML商谈合作，并访问了比利时的IMEC，这是一家专注于纳米电子和数字技术的开创性研究机构。由此可见，长鑫正在寻求美国以外的供应商的支持。

朱一明在上海举办的GSA MEMORY+峰会发表演讲时指出，长鑫的技术源自奇梦达，并结合了长鑫自己的技术。

通过与奇梦达合作，将一千多万份有关DRAM的技术文件及2.8TB数据收归囊中，这也是公司最初的技术来源之一。长鑫存储在所接收技术和国际合作的基础上，利用专用研发线，展开世界速度的快速迭代研发，已持续投入晶圆超过15000片。

朱一明表示长鑫的内存研发是站在巨人肩膀上，尽管如此国内研发DRAM内存依然花费了极大的代价，累计研发费用高达25亿美元，建成严谨合规的研发体系和独有技术体系。

　奇梦达公司是英飞凌半导体剥离出来成立的DRAM芯片公司，早些年还可以在某些显卡上看到他们的GDDR显存，不过奇梦达已经破产多年，但这主要是因为经营不善，奇梦达在DRAM上还是有自己的技术的。

但在2009年1月，奇梦达向法院申请破产保护。奇梦达慕尼黑研发中心和中国研发中心(位于西安高新区)是较大的两大研发中心。

根据长鑫公司之前公布的计划，合肥长鑫的一厂厂房已经于2018年1月建设完成，设备也开始安装。根据计划，长鑫将于2018年年底推出8Gb DDR4工程样品，2019年三季度推出8Gb LPDDR4，到2019年年底，产能将达到2万片一个月。从2020年开始，公司则开始规划二厂，2021年则完成17nn的研发。

此外，国内研发DRAM内存的另一家公司福建晋华JHICC被美国制裁，业务几乎停摆，长鑫公司也担心被美国盯上，促使他们在研发过程中非常注重知识产权。

中国的长鑫应该是国产企业在内存领域希望之一，真心的希望我们自主企业能够加速研发生产，我们的消费者可以对国内企业更多的理解与宽容。因为只有这样，我们的技术才不受制于人。