【特色服务】瞬态热阻测试仪T3Ster：精准测量，一触即发

设备信息

型号：T3Ster

厂家：Siemens SimCenter

标准：

JESD51-1,JESD51-14,MIL-STD-883Hmethod1012.1和MIL-750E3100

检测方法：ETM电压法 ，双界面分离法量测Rthjc

资质：cnas

测试内容：Tj结温，电参数，K系数，静态热阻，瞬态热阻抗 ，微积分结构函数

样品要求须知

1、样品封装形式图例

2、物理尺寸

3、样品电参数

4、待测样品datasheet

5、样品管脚定义图

6、样品工作温度。

各种三极管、二极管等半导体分立器件 ，包括：常见的半导体闸流管、双极型晶体管 、以及大功率IGBT、MOSFET、LED等器件;各种复杂的IC以及MCM、SIP、SoC等新型结构

服务特色

T3Ster独创的StructureFunction(结构函数)分析法 ，能够分析器件热传导路径上每层结构的热学性能（热阻 和热容参数），构建器件等效热学模型，是器件封装工艺、可靠性试验、材料热特性以及接触热阻 的强大支持工具。因此被誉为热测试中的“X射线”。T3Ster可以和热仿真软件Flotherm，FloEFD无缝结合，将实际测试得到的器件热学参数导入仿真软件进行后续仿真优化。

技术参数

1.1.测试小电流：温度敏感参数(TSP)测量电流IM可调范围需满足：1mA~25mA(可扩展)

1.2.测试通道 2个

1.3.测试主机通道电压输出采集范围：±5V，驱动电流输出范围：±2A；恒压源UCB输出范围：±10V；

1.4测试方法 测试方法应符合JEDEC JESD51-1的静态法（static mode）要求，能实时获取温度时间响应曲线，能实时测试器件的冷却曲线 ；

1.5结温分辨率 ：0.01℃；

1.6 最小测试延迟时间：1us；最小采样时间间隔1us

1.7电压测量分辨率：12uV(以50mV量测计算)；

1.8每倍频采样点数：典型值400个；

1.9最大采样点数：65000个；

1.10电压变化 测量档位：400mv/200mv/100mv/50mv

1.11RC 网络模型 级数：2-100个

2.1.外接直流源电压范围 0~30V

2.2外接直流源电流范围 0~50A